近紅外光譜分析儀可直接對樣品進(jìn)行無損檢測，幾秒鐘即可得出結(jié)果，一臺設(shè)備即可滿足日常檢測需求，適用范圍廣泛，包括壓片玉米、玉米粉、DDGS、全棉籽、青貯玉米、苜蓿、棉粕、豆粕等TMR原料。用戶可根據(jù)每一批次原料的檢測結(jié)果對TMR配方進(jìn)行優(yōu)化，真正實(shí)現(xiàn)精細(xì)管理。該方案相較于傳統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室儀器投入更低，幫助客戶提高經(jīng)濟(jì)效益并降低成本。
與常用的化學(xué)分析方法不同，近紅外光譜分析法是一種間接分析技術(shù)，是用統(tǒng)計的方法在樣品待測屬性值與近紅外光譜數(shù)據(jù)之間建立一個關(guān)聯(lián)模型（或稱校正模型，Calibration Model）。PSS近紅外光譜儀的核心部件是多色儀，融合了二極管陣列技術(shù)和3D透射光柵技術(shù)，保證了光譜儀在數(shù)據(jù)采集方面的快速和可靠性。
近紅外光譜分析儀測定過程中幾個操作要點(diǎn)
1、測定時實(shí)驗(yàn)室的溫度應(yīng)在15～30℃，所用的電源應(yīng)配備有穩(wěn)壓裝置。
2、為防止儀器受潮而影響使用壽命，紅外實(shí)驗(yàn)室應(yīng)保持干燥（相對濕度應(yīng)在65%以下）。
3、樣品的研磨要在紅外燈下進(jìn)行，防止樣品吸水。
4、壓片用的模具用后應(yīng)立即把各部分擦干凈，必要時用水清洗干凈并擦干，置干燥器中保存，以免銹蝕。
5、OMNI采樣器使用過程中必須注意以下幾點(diǎn)：
?。?）樣品與Ge晶體間必須緊密接觸，不留縫隙。否則紅外光射到空氣層就發(fā)生衰減全反射，不進(jìn)入樣品層。
?。?）對于熱、燙、冰冷、強(qiáng)腐蝕性的樣品不能直接置于晶體上進(jìn)行測定，以免Ge晶體裂痕和腐蝕。
?。?）尖、硬且表面粗糙的樣品不適合用OMNI采樣器采樣，因?yàn)檫@些樣品極易刮傷晶片，甚至使其碎裂。
